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Si1050X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
6
5
V GS = 5 V thr u 2 V
3.0
2.5
4
3
2
V GS = 1.5 V
2.0
1.5
1.0
T C = 125 °C
1
0.5
T C = 25 °C
0
V GS = 1.0 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.15
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics curves vs. Temp.
8 00
0.12
0.09
V GS = 1.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
600
C iss
400
0.06
0.03
V GS = 4.5 V
200
0
C rss
C oss
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
5
4
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 1.34 A
1.6
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
3
V DS = 4 V
1.2
V GS = 4.5 V , I D = 1.34 A
V GS = 1.5 V , I D = 0.76 A
V GS = 6.4 V
2
1
0
1.0
0. 8
0.6
V GS = 2.5 V , I D = 1.30 A
V GS = 1. 8 V , I D = 1.23 A
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Q g - Gate Charge
Document Number: 73896
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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